长鑫国产HBM2内存重大突破！DDR5良率明年底可达90％
12月29日消息，长鑫存重长鑫存储低调推出DDR5内存以来，国产更多内幕被挖掘出来，大突底可达％好消息也是良率接连不断，甚至第二代HBM2高带宽内存也有了重大突破。明年
据花旗银行的长鑫存重分析报告，长鑫当初在DDR4上的国产初期良品率只有20-30％，成熟后达到了90％。大突底可达％
得益于DDR4上的良率丰富经验，长鑫DDR5从一开始的明年良品率就有40％，目前稳定在80％左右，长鑫存重而且还在继续改进，国产预计到明年底可以提升到90％左右。大突底可达％
长鑫目前在合肥有两座内存工厂，良率Fab 1主要生产DDR4，明年使用的是19nm工艺，每月产能约10万块晶圆。
Fab 2专注于DDR5，用的是17nm工艺，当前月产能大概5万块晶圆，还在持续提升中，预计到明年可翻一番。
当然，三星、SK海力士等的DDR5内存已经升级到12nm工艺，所以长鑫仍有很大的提升空间。
此外，长鑫还在大力推进HBM高带宽内存，一方面提升一代HBM的产能，另一方面二代HBM2已经取得重大突破，正在给客户送样，预计明年年中可小规模量产。
虽然三大原厂已经量产HBM3、HBM3E，并即将推出HBM4，但对于长鑫来说，能搞定HBM2仍然是里程碑式的，对于国产化AI硬件的发展至关重要，比如华为昇腾910系列加速器就依赖于HBM2。
根据早先报道，长鑫从今年第三季度就开始采购HBM2生产设备，尤其是需要更先进的封装技术，涉及TSV、KGSD等等。
相关文章：
相关推荐：
栏目分类
最新文章
- 36岁前日本国脚乾贵士与清水鼓动续约，30场5球8助帮球队重回J1
- 姆巴佩本场2射进1球+1助攻2关键传球6过人5成功获评8.4分
- 瓜迪奥拉：我们在一些细节上做得还不够好，球员们也很清楚
- 吉利控股李书福新年致辞：不简单打价格战 旗帜鲜明地反对内卷式恶性竞争
- 秦运彪任北京市副市长
- 谷歌CEO：Gemini将成公司2025年“最大重点”
- [流言板]稳定输出！鲍威尔半场12中6，三分7中2，得到17分2篮板1抢断
- 沪渝蓉沿江高铁最后一段宜昌至涪陵正式开工：全程时速350公里
- [流言板]班巴三连客期间合计10投2中，三分5中0，得到4分10篮板5盖帽
- 罗马诺：阿森纳和18岁中卫海文商谈续约，多特、阿贾克斯有意
热门文章